ОСОБЛИВОСТІ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ ПОГЛИНАННЯ ПОТУЖНОГО ІМПУЛЬСНОГО ЕЛЕКТРОМАГНІТНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ В РАДІОЕЛЕКТРОННИХ КОМПОНЕНТАХ
DOI:
https://doi.org/10.34169/2414-0651.2023.3(39).89-96Ключові слова:
електромагнітний імпульс, радіоелектронні компоненти, функціональне ураження, інтегральні мікросхемиАнотація
Розглянуто основні закономірності процесів впливу потужного імпульсного електромагнітного випромінювання на електронні компоненти. Установлені основні механізми ураження радіоелектронних компонентів потужним електромагнітним імпульсом. Основну увагу зосереджено на дослідженні процесів впливу потужного імпульсного електромагнітного випромінювання на найбільш уразливі до такого впливу напівпровідникові прилади – на інтегральні мікросхеми. Установлені орієнтовні межі інтервалу значень поглинутої енергії та потужності, в якому відбувається функціональне ураження більшості сучасних напівпровідникових приладів.
Завантаження
Посилання
Ковтуненко О.П., Богучарський В.В., Слюсар В.І., Федоров П.М. Зброя на нетрадиційних принципах дії (стан, тенденції, принцип дії та захист від неї). Полтава: ПВІЗ. 2006. 247 с.
Магда И.И. Разработка мощных импульсных СВЧ генераторов на базе сильноточных релятивистских ускорителей электронов. СВЧ-техника и спутниковая связь: матер. конф. Севастополь. 1993.
Диденко А.П., Юшков Ю.Г. Мощные СВЧ-импульсы наносекундной длительности. М.: Энергоатомиздат. 1984. 112 с.
Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения. Ж-л радиоэлектроники. 2013. № 6. [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.jre.cplire.ru/jre/jun13/text.pdf.
Бригидин A.M., Титович Н.А., Кириллов В.М. Влияние электромагнитных помех на работоспособность полупроводниковых приборов и интегральных схем. Электронная техника. Сер. Упр. качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1992. Вып. 1(148). С. 3—12.
Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.О., Раваев А.А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Зарубежная радиоэлектроника. 1995. № 1. С. 37—52.
Баранов И.А., Обрезан О.И., Ропий A.M. Стойкость твердотельных модулей СВЧ к кратковременным электроперегрузкам. Обзоры по электронной технике. Сер. 1. СВЧ-техника. 1997. 111с.
Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения. Ж-л Радиоэлектроники. 2013. № 1. С. 1—24.
Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю.А. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов. Киев: Наукова думка. 1986. 168 с.
Sasagawa, К., Kazushi, N., Masumi, S. & Hiroyuki, A. (1999). A method to predict electromigration failure of metal lines. J. Appl. Phys. Vol. 86. № 11. DOI: https://doi.org/10.1063/1.371652
Pp. 6043—6051.
Абдуллаев Г.В., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат. 1980. 280 с.
Добыкин В.Д., Куприянов А.И., Пономарев В.Г., Шустов Л.Н. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение радиоэлектронных систем. М.: Вузовская книга. 2007. 463 с.
Синоров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. Физические основы надежности интегральных схем; под ред. Ю.Г. Миллер. М.: Сов. Радио. 1976. 320 с.
Кравченко В.И. Электромагнитное оружие. Харьков: Изд-во НТУ «ХПИ». 2008. 185 с.
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2023 Павло Федоров ,Вячеслав Богучарський ,Наталія Гамалій

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.