РОЗРОБКА ІНЖЕКТОРА ІОНІВ БЕРИЛІЮ ДЛЯ ТЕХНОЛОГІЧНОЇ УСТАНОВКИ З ВИГОТОВЛЕННЯ ІНФРАЧЕРВОНИХ ФОТОПРИЙМАЧІВ ДЛЯ СИСТЕМ НАВЕДЕННЯ
- Автор(и)
-
-
Володимир Батурін
Інституту прикладної фізики НАН України
-
Петро Литвинов
Інституту прикладної фізики НАН України
-
Сергій Пустовойтов
Інституту прикладної фізики НАН України
-
Олег Роєнко
Інституту прикладної фізики НАН України
-
- Ключові слова:
- Array, Array, Array, Array, Array, Array
- Анотація
-
У статті представлено результати розробки джерела іонів берилію та інших металів, призначеного для розробки технологічного циклу виготовлення приймачів інфрачервоного випромінювання для приладів нічного бачення та систем наведення ракет. Запропоновано та розроблено конструкцію плазмового розпилювального джерела іонів металів з розрядом відбивного типу та холодним порожнистим катодом та інжектор іонів металів на його основі. Створено компактне джерело металевих/газових іонів, в якому шляхом розпорошення іонами аргону катодного та антикатодного електроду забезпечується утворення фази надлишкового тиску парів металу і реалізується його іонізація осцилюючими електронами в поздовжньому магнітному полі. Витягування та формування пучка, що містить іони плазмоутворюючого газу і металу, здійснюється через емісійний отвір у антикатоді.
Парціальне відношення іонів аргон/метал у сформованому пучку знаходиться в інтервалі 3−20. Розроблене джерело має високу стабільність іонного струму в часі, просте в обслуговуванні, може генерувати іони із будь-якого провідного твердого тіла без використання високотемпературної печі для його випаровування.
Проведено моделювання та виготовлення іонно-оптичної системи формування іонного пучка в складі імплантера Інституту прикладної фізики НАН України. Оскільки іонний інжектор буде впроваджено в іонний імплантер МВР-202 фірми «BALZERS» Інституту фізики напівпровідників НАН України ім. В.Є. Лашкарьова, проведено аналіз його оптичної та вакуумної систем, а також елементів живлення. Всі ці фактори були враховані під час розробки іонного джерела, що дозволить безпроблемно впровадити його в імплантер МВР-202.
- Біографія автора
- Посилання
-
Ткачов В.В., Камінський В.В., Степанов Г.С., Оріховський П.В. Погляди на організацію протиповітряної оборони в сучасних умовах. Наука і оборона. 2021. № 4. С. 13—16. DOI: https://doi.org/10.33099/2618-1614-2021-17-4-13-16
Гринченко Л.Я., Пономаренко В.П., Филачёв А.М. Современное состояние и перспективы инфракрасной фотоэлектроники. Прикладная физика. 2009. № 2. С. 57—64.
Саенко В.А. Устройство термоионного осаждения (обзор). ПТЭ.1985. № 3. С. 9—21.
Потемкин Г.В., Лигачев А.Е. Генератор многокомпонентной плазмы, получаемой катодным распылением. Взаимодействие излучений с твердым телом: 7-я Межд. конф. 26−28 сентября. 2007. Минск. Беларусь.
Браун Я. Физика и технология источников ионов. М.: Мир. 1998. 496 с.
Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат. 1968. 347 с.
Gersch, H.-U. & Wittmaack, K. Postionization of sputtered neutrals by focused electron beam. J. of Vacuum Science and Technology A. 1993. Vol. 11. No. 1. Pp. 125—135. DOI: https://doi.org/10.1116/1.578278
Батурин В.А., Литвинов П.А., Пустовойтов С.А., Роенко О.Ю. Термализация и ионизация атомов рабочей среды в металлическом ионно-распылительном источнике. ВАНТ. 2021. № 6(136). С. 99—102. https://doi.org/10.46813/2021-134-099.
http://ibsimu.sourceforge.net.
Литвинов П.А., Батурин В.А., Пустовойтов С.А. Разработка и исследование источника ионов металлов для технологических ускорительных установок. Ж-л техн. физики. 2014. Т. 84. Вып. 4. C. 126—131.
- Cover Image
-
- Завантаження
- Опубліковано
- 31.12.2022
- Розділ
- СИСТЕМИ ВИЯВЛЕННЯ ТА ПРИЦІЛЮВАННЯ
- Ліцензія
-
Авторське право (c) 2022 Володимир Батурін ,Петро Литвинов ,Сергій Пустовойтов ,Олег Роєнко
Ця робота ліцензується відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International License.
